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應(yīng)用為導(dǎo)向的混合式步進(jìn)電機(jī)技術(shù)大大提升了電機(jī)的動(dòng)態(tài)扭矩
步進(jìn)電機(jī)是當(dāng)今最具挑戰(zhàn)性電機(jī)之一，它們具有高精度的步進(jìn)，高分辨率和平滑的運(yùn)動(dòng)，步進(jìn)電機(jī)一般需要定制，在特定應(yīng)用中才能實(shí)現(xiàn)最佳性能。通常自定義的設(shè)計(jì)屬性有定子的纏繞模式、軸配置、自定義外殼和專用軸承，這使得步進(jìn)電機(jī)的設(shè)計(jì)和制造極具挑戰(zhàn)性。
2023-02-21
步進(jìn)電機(jī) 動(dòng)態(tài)扭矩
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如何使用非耗散鉗位提高反激式效率
在反激式轉(zhuǎn)換器的標(biāo)準(zhǔn)形式中，變壓器的漏感會(huì)在初級場效應(yīng)晶體管 (FET) 的漏極上產(chǎn)生電壓尖峰。為防止此尖峰變得過大和損壞，F(xiàn)ET 需要一個(gè)鉗位網(wǎng)絡(luò)，通常帶有耗散鉗位，如圖1所示。但是耗散鉗位中的功率損失限制了反激式轉(zhuǎn)換器的效率。在這篇電源技巧中，我將研究反激式轉(zhuǎn)換器的兩種不同變體，它們...
2023-02-20
非耗散鉗位 反激式
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芯片溫度檢測，什么方法最有效？
下面幾種測溫方法，都不能完全適用于芯片各環(huán)節(jié)的溫度檢測，那么，如何才能實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)高效測溫？
2023-02-17
芯片 溫度檢測
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5大重要技巧讓您利用 SiC 實(shí)現(xiàn)高能效電力電子產(chǎn)品！
當(dāng)您設(shè)計(jì)新電力電子產(chǎn)品時(shí)，您的目標(biāo)任務(wù)一年比一年更艱巨。高效率是首要要求，但以更小的尺寸和更低的成本提供更高的功率是另一個(gè)必須實(shí)現(xiàn)的特性。SiC MOSFET 是一種能夠滿足這些目標(biāo)的解決方案。以下重要技巧旨在幫助您創(chuàng)建基于 SiC 半導(dǎo)體的開關(guān)電源，其應(yīng)用領(lǐng)域包括光伏系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽...
2023-02-17
SiC 高能效 電力電子
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交流電源測量使用 PWM 和 PAM
PWM/PAM 乘法器的基本概念是單個(gè)周期內(nèi)（非重疊）脈沖波形的平均值是脈沖面積除以脈沖重復(fù)周期。每個(gè)矩形脈沖幅度與電壓成正比，寬度與電流成正比，矩形的面積與乘積成正比：電壓乘以電流。如果脈沖重復(fù)率遠(yuǎn)高于被測頻率，則可以假設(shè)電壓和電流沒有變化 明顯地在脈沖波形的一個(gè)周期內(nèi)。PWM/PAM 輸出...
2023-02-16
交流電源 PWM PAM
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是什么使SiC成為組串式逆變器的完美解決方案
與硅技術(shù)相比，SiC MOSFET在光伏和儲(chǔ)能應(yīng)用中具有明顯的優(yōu)勢，它解決了能效與成本的迫切需求，特別是在需要雙向功率轉(zhuǎn)換的時(shí)候。
2023-02-09
SiC 組串式 逆變器
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堆疊LED可實(shí)現(xiàn)完全身臨其境的虛擬現(xiàn)實(shí)顯示
麻省理工學(xué)院的工程師們已經(jīng)開發(fā)出一種新方法來制作更清晰、無缺陷的顯示器。該團(tuán)隊(duì)并沒有在水平拼湊中并排更換紅色、綠色和藍(lán)色發(fā)光二極管，而是發(fā)明了一種堆疊二極管以創(chuàng)建垂直、多色像素的方法，可以實(shí)現(xiàn)完全身臨其境的虛擬現(xiàn)實(shí)顯示和更高分辨率的數(shù)字屏幕。
2023-02-08
堆疊LED 發(fā)光二極管
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繁榮漸復(fù) 復(fù)蘇加速 CITE 2023乘勢而來
春節(jié)期間，國內(nèi)消費(fèi)復(fù)蘇超出預(yù)期。春運(yùn)客運(yùn)量明顯回升，春運(yùn)前21天全國發(fā)送旅客7.91億人次，全國高速公路總流量7.7億輛次；春節(jié)假期出游人次恢復(fù)至2019年同期近九成，旅游收入恢復(fù)至七成；春節(jié)檔票房較2022年同比上升20.3%，顯著高于疫情前的2019年；伴隨主要城市疫情峰值已過，在春節(jié)期間家庭聚餐...
2023-02-08
CITE 機(jī)械設(shè)施 技術(shù)系統(tǒng)
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碳化硅如何革新電氣化趨勢
在相當(dāng)長的一段時(shí)間內(nèi)，硅一直是世界各地電力電子轉(zhuǎn)換器所用器件的首選半導(dǎo)體材料，但 1891 年碳化硅 (SiC) 的出現(xiàn)帶來了一種替代材料，它能減輕對硅的依賴。SiC 是寬禁帶 (WBG) 半導(dǎo)體：將電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量更高，并且這種寬禁帶具備優(yōu)于標(biāo)準(zhǔn)硅基器件的多種優(yōu)勢。
2023-02-03
碳化硅 電氣化 趨勢
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