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						大功率UPS無變壓器設計技術采用無變壓器設計的UPS,雖然增加了逆變器的中線橋臂以及電池充放電轉換器,但與減少的磁性元件相比,總體來說成本降低了,并且減少了UPS的體積和重量,其重量是傳統UPS的50%或更低,占地面積為原來的60%,不需要后面和側面接線維修。 2009-07-10 無變壓器 UPS大功率UPS IGBT ABM技術 
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						冗余式UPS技術發展趨勢UPS自20世紀60年代問世以來,在全世界范圍內得到了廣泛地推廣和應用。由于傳統單機UPS存在諸多弊端,冗余式UPS逐漸得到了發展,其技術革新一直倍受關注。本文針對冗余式UPS發展的必然性,介紹冗余式UPS技術的未來發展趨勢。 2009-07-10 ups 冗余式UPS 高頻鏈技 總線互聯 
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						低溫共燒陶瓷技術(LTCC)新進展在本次創新大獎評選中,本土元器件和材料的創新項目表現搶眼,共有7個項目獲獎,令人振奮!這些項目對加快產業調整振興規劃的中國電子元器件產品升級目標將起到重要推動作用。而清華大學完成的“高性能低溫共燒陶瓷(LTCC)材料”是唯一一項獲得一等獎項目。新型陶瓷與精細工藝國家重點實驗室是我國新... 2009-07-10 低溫共燒陶瓷技術 LTCC CEF 
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						風華高科再現風華廣東風華高新科技股份有限公司的“賤金屬Ni內電極高壓片式多層陶瓷電容器及抗還原陶瓷材料的開發與產業化”項目榮獲2008年度中國電子學會電子信息科學技術獎三等獎。《中國電子商情》記者采訪了廣東風華高新科技股份有限公司冠華分公司副總唐浩,以下為采訪紀要。 2009-07-09 風華高科 多層陶瓷電容器 抗還原陶瓷材料 
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						通過功率MOSFET的頂面溫度估算結點溫度通常,MOSFET數據手冊中提供的結點溫度數據只限于結到引腳和結到環境之間的熱阻。雖然可根據定制條件使用一些工具來實現更精確的熱仿真,但有時只需要時間來運行仿真就可以了。 2009-07-09 功率MOSFET MOSFET 結點溫度 
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						未來電源發展的架構近年電子及數據產業的發展及分布式供電系統的推廣,DC-DC轉換器的應用越來越廣,新的微處理器、記憶體、DSP及ASIC都趨向要求低電壓、大電流供電。面對新世代的電子器件和負載,電源業要面對重大的挑戰,產品除了能在低電壓輸出大電流外,還要做到體積小、重量輕、動態反應快,噪聲小和價錢相宜。這... 2009-07-09 CPA DPA 
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						開關變壓器第六講 導磁率的測量計算在測試變壓器鐵芯導磁率的時候,一般都是通過測試變壓器線圈電感量的方法來測試變壓器鐵芯的導磁率;這種測試方法實際上就是測試電感線圈的交流阻抗;然而用來代表介質屬性的導磁率并不是一個常數,而是一個非線性函數,它不但與介質以及磁場強度有關,而且與溫度還有關。導磁率所定義的并不是一個簡... 2009-07-08 開關變壓器 導磁率 
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						首爾半導體和臺灣廣鎵合資建新公司廣鎵將投資200萬美元與韓國首爾半導體及子公司Seoul Optodevice(SOC)合資成立新公司。新公司定位為銷售公司,主要負責海外接單為主,廣鎵占新公司49%股權,預計下半年成立。 2009-07-08 LED封裝 SOC LED芯片 SSC 
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						Vishay推出1280G、1285G系列AccutrimTM微調電位器Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出兩款Bulk Metal?箔超高精度AccutrimTM微調電位器 --- 1280G和1285G。 2009-07-08 1280G 1285G TCR 微調電位器 
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