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LED未來3年將重點切入室內(nèi)照明
全球經(jīng)濟不景氣，LED產(chǎn)業(yè)卻逆勢成長。未來三～五年，LED以切入室內(nèi)照明市場為重要起跑點，其中，LED應用將持續(xù)擴及重點照明、中大尺寸顯示器背光等。
2009-02-27
LED 照明 背光 室內(nèi)照明 LED路燈
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陶顯芳老師談電磁干擾與電磁兼容(六)
本編文章中，陶老師論述了電磁感應產(chǎn)生傳導干擾的原理和解決方法；輻射干擾的產(chǎn)生原理和解決方法。
2009-02-26
電磁感應 傳導 電磁干擾 開關(guān)電源
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日立展出1.9mm見方的LSI集成型壓力傳感器
日立制作所展出了芯片尺寸為1.9mm見方的LSI集成型壓力傳感器。是利用LSI制造工藝把壓力傳感器制造到LSI上形成的，與該公司此前發(fā)布的3.4mm見方的試制品相比，體積大幅縮小。
2009-02-26
壓力傳感器 LSI集成型壓力傳感器
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MEMS振蕩器與傳統(tǒng)石英晶振的比較優(yōu)勢
本文重點介紹了MEMES振蕩器與傳統(tǒng)石英振蕩器的比較優(yōu)勢。
2009-02-25
MEMS振蕩器 石英晶振 精度 Sitime 供貨周期 頻率 抖動 擴頻
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STY112N65M5：ST太陽能電池功率調(diào)節(jié)器用MOSFET
意法半導體（ST）開發(fā)出了用于配備太陽能電池功率調(diào)節(jié)器的MOSFET。耐壓650V，有最大導通電阻為0.022Ω（漏極電流為93A）的“STY112N65M5”和最大導通電阻0.038Ω（漏極電流為66A）的“STW77N65M5”。 此前，太陽能電池功率調(diào)節(jié)器一直使用IGBT，但由于MOSFET的導通電阻不斷降低，因此MOSFET正逐漸取代IG...
2009-02-25
MOSFET 太陽能電池 功率調(diào)節(jié)器 IGBT ST STY112N65M5 STW77N65M5
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08年光伏設備銷售額超44億美元
市場調(diào)研機構(gòu)VLSI Research日前發(fā)布報告，2008年光伏電池和組件制造設備市場（包括薄膜電池設備）銷售額達到了44億美元，太陽能產(chǎn)業(yè)持續(xù)發(fā)展并不斷增加新的產(chǎn)能。由于各種薄膜技術(shù)的興起并在2008年第一次進入規(guī)模量產(chǎn)，設備市場獲得了迅速成長，促使設備供應商也創(chuàng)造了新的收入記錄。
2009-02-25
光伏電池 太陽能 薄膜電池
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希臘通過歐洲最優(yōu)惠的太陽能補助案
希臘于2009年1月15日通過歐洲最優(yōu)惠的太陽能補助案。提案中預計將有3GW的龐大裝置量，此補助案一經(jīng)公布，將使希臘在未來三至四年間，成為歐洲最具潛力的太陽能市場之一。
2009-02-24
希臘 太陽能
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東芝展出近紫外LED 外部量子效率高達36%
面向新一代照明用LED，東芝展出了正在開發(fā)的近紫外LED。其外部量子效率較高，達到了36%。發(fā)光波長為380nm。為了提高發(fā)光效率，抑制了GaN結(jié)晶的缺陷，提高了平坦性。
2009-02-23
近紫外LED 量子效率 GaN結(jié)晶
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陶顯芳老師談電磁干擾與電磁兼容(五)
本文闡述了電磁干擾和電磁兼容的定義、傳導干擾的定義以及回路電流產(chǎn)生傳導干擾的機理和抑制方法。
2009-02-23
電磁兼容 電磁干擾 傳導干擾 輻射干擾 回路電流
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