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簡述SiC MOSFET短路保護時間
IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力，也就是說，在一定的短路耐受時間（short circuit withstand time SCWT），只要器件短路時間不超過這個SCWT，器件基本上是安全的（超大電流導致的寄生晶閘管開通latch up除外，本篇不討論）。
2022-12-22
SiC MOSFET 短路保護時間
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PCI－Express總線接口的布線規則
PCIE是一種典型的串行總線，本文是針對PCI-E接口的布線規則，這些規則是很多芯片廠商的設計指導，也是很多老工程師耳熟能詳的金科玉律。
2022-12-21
PCI－Express 總線接口
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LC低通濾波器原理及設計方法
前面提到過RC濾波器那么自然而然就存在LC濾波器，在汽車的電子控制器中幾乎每個控制器都會用到LC濾波器，特別是在電源輸入的地方可以獲得更好的EMI效果。
2022-12-21
LC低通濾波器
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Transphorm按功率段發布氮化鎵功率管可靠性評估數據
加州戈利塔—2012年12月15 日--高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先鋒企業和全球供貨商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今日發布了針對其氮化鎵功率管的最新可靠性評估數據。評估可靠性使用的失效率（FIT）是分析客戶現場應用中失效的器件數。迄今為止，基于超過850億小時的現場應用數據，...
2022-12-20
Transphorm 功率管 可靠性評估
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新穎功率電感器設計，用于緊湊型大電流 DC／DC 轉換器
電感器是 DC/DC 轉換器中的關鍵組件，因為它能夠抑制 AC 紋波電流，從而在輸出中提供平滑的 DC 電流。一代的電子設備非常緊湊，并且具有越來越先進的功能。它們通常由電池供電，需要高能效，從基本組件開始，例如 DC/DC 轉換器中的電感器。
2022-12-19
功率電感器 大電流 DC／DC 轉換器
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使用 SiC JFET 接近完美開關
碳化硅 (SiC) JFET堅固耐用，具有高能量雪崩和短路耐受額定值，而且值得注意的是，它們在每單位芯片面積的 FOM 導通電阻R DS(on) × A方面擊敗了所有其他技術，實現了價值接近材料的理論極限（圖 1）。這個品質因數直接關系到開關的實際性能及其經濟性，與競爭技術相比，每個晶圓的芯片數量更多，性...
2022-12-16
SiC JFET接近開關
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性能逆天的這種電容，你見過嗎？
我們都知道，理想狀態下電容的阻抗是隨頻率的增加而逐漸減小的。但在實際運用中，由于電容器存在等效電感（ESL）以及在電路板上存在一定的安裝電感，當頻率上升到一個特定值后電容的阻抗將不再減小，反而是逐漸增加的趨勢變化。這個特定頻率就是電容的自諧振頻率。在諧振頻率之前，電容器呈現容性特...
2022-12-15
電容 電路板 電感
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面向電路的噪聲耦合抑制技術
任何在示波器上仔細觀察過低電平信號讀數的人都會熟悉電子電路中可能出現的噪聲。出現的各種固有的噪聲源在低信號電平下十分明顯。在其他以典型邏輯電平運行的系統中，由于電磁干擾和電路之間的耦合，會產生外在噪聲。這些噪聲源都需要一個特定的電路或策略來降低耦合強度或減少噪聲，或兩者兼而有之。
2022-12-15
電路 噪聲耦合抑制技術
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自適應RF前饋放大器的設計
現代無線通信的迅猛發展日益朝著增大信息容量，提高信道的頻譜利用率以及提高線性度的方向發展。一方面，人們廣泛采用工作于甲乙類狀態的大功率微波晶體管來提高傳輸功率和利用效率；另一方面，無源器件及有源器件的引入，多載波配置技術的采用等，都將導致輸出信號的互調失真。
2022-12-13
RF前饋放大器
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