中心議題：
- LED恒流驅動電路設計
- LED恒流驅動電路仿真測試結果
解決方案：
- 基于MOS管飽和區(qū)恒流特性的恒流模塊
- 基于電流負反饋的恒流模塊
- 擬合工作區(qū)的恒流驅動模塊
本文介紹基于CSMC0.5umBCD工藝給出的LED恒流驅動電路。利用MOS管飽和區(qū)恒流特性以及電流負反饋結構，給出三種恒流驅動方案。比較三種方案的恒流工作電壓，確立最終結構。本文采用的方案能夠有效降低恒流工作電壓并實現(xiàn)利用外接電阻控制恒流輸出的大小，驅動電流范圍為14.5mA到91.5mA.驅動電流可以通過外接PWM數(shù)字信號實現(xiàn)輸出使能控制，控制響應時間為7ns.可用于LED顯示屏。通過Hspice軟件進行仿真，5V的電源電壓波動±10%時驅動電流波動小于1.85%.環(huán)境溫度由25℃變化到85℃時驅動電流變化2.14%.外接電壓由0V變化到5V,此時的驅動電流變化小于5.5%.當驅動電流為91.5mA時，恒流工作電壓僅為0.38V.
1 引言
近年來，LED顯示屏應用迅速發(fā)展，推動LED驅動IC的進步。基于對LED的高可靠性以及亮度和色度一致性的考慮，通常要對LED進行恒流驅動。
用于LED顯示屏的恒流驅動電路主要存在三個設計要點：①驅動電流可通過單一外接電阻設定。②最大限度降低恒流工作電壓。這里，恒流工作電壓指使輸出電流恒定時的內部電路壓降，該壓降小則電路功耗低。③恒流輸出可由數(shù)字信號控制，響應速度要快，以滿足采用PWM技術動態(tài)調光或高速掃描應用的需要。文中給出了一種使驅動MOS管在線性區(qū)實現(xiàn)恒流的控制方法，且不需要在源極串聯(lián)反饋電阻，有效降低了恒流工作電壓。在此基礎上，給出了滿足以上三方面要求的完整控制電路。
2 恒流驅動電路設計
恒流驅動模塊是整個控制電路設計核心，決定整體電路的恒流特性。針對此模塊給出三種方案。具體電路結構如圖1所示。圖中電流I_rset只受控于外接電阻Rset,當Rset不變時，此電流恒定。Vcc是電路的外接電壓，用來為LED供電。
圖1 電路結構
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2.1 基于MOS管飽和區(qū)恒流特性的恒流模塊
這種結構采用簡單的恒流方式，常應用于大功率LED照明電路，結構如圖1（a）所示。電路利用M1實現(xiàn)恒流驅動。外接電壓Vcc的增大使得M1進入飽和區(qū)，利用運放保證M1柵電壓保持不變。工作于飽和區(qū)的M0與M1的共柵連接方式使得流經(jīng)它們的電流滿足線性比例關系且電流恒定，比例系數(shù)取決于兩者的寬長比的比值。這種恒流模式完全依賴于MOS管的柵電壓并且恒流工作電壓（VDS1）至少要滿足M1管飽和導通，因此結構對于LED顯示電路來說功耗大。
2.2 基于電流負反饋的恒流模塊
為減小電路功耗，采用負反饋結構實現(xiàn)恒流輸出。電路結構如圖1（b）。當電路由于某一原因導致M0的漏電流增加時，增加的電流通過R1作用反饋到運放的反相端，負反饋結構會使得M0的柵壓降低，使M0上漏電流減小，從而實現(xiàn)動態(tài)平衡，保證M0的漏電流恒定不變，反之亦然。這樣的恒流方式降低了恒流工作電壓，電路功耗小。動態(tài)平衡方式很好的實現(xiàn)了恒流輸出，恒流特性好。負反饋結構使得驅動電流Iout與I_rset之間滿足線性比列關系，比例系數(shù)取決于R0與R1的阻值比。
該結構存在一些不足：①R1不宜過大，否則R1上壓降過高，產(chǎn)生較大功耗。②R1不宜過小，否則會導致反饋電壓過小，反饋電壓信噪比低，電路性能不穩(wěn)定。R1設置在幾個歐姆為宜，對于電阻的精確要求使得版圖設計相對困難，對工藝的要求較高。③反饋電阻的存在就不可避免的在R1上產(chǎn)生一定的壓降，造成集成電路內部功耗的增加。
2.3 擬合工作區(qū)的恒流驅動模塊
為避免反饋電阻存在的問題，采用圖1（c）結構，負反饋取樣點在M1漏端。同時為最大限度的降低恒流工作電壓需實現(xiàn)MOS管在線性區(qū)可以恒流輸出。這種方式將線性區(qū)恒流輸出曲線與飽和區(qū)恒流輸出特性曲線擬合成一條曲線，得到驅動電流的恒流輸出曲線恒流特性好，恒流工作電壓低。
MOS管漏電流ID在不同工作區(qū)滿足關系式：
當VDS>VGS-VTHN時，MOS管處于飽和區(qū)：
當V DS < VGS - V THN時， MOS 管處于線性區(qū)：
若某一原因導致運放同相端輸入電壓增大，會使得M0柵電壓增加。而I_rset對于固定的外設電阻是恒定的，故M0的漏電壓減小，從而M1的柵電壓減小，漏電壓增加，即運放的反相端電壓也隨之增加，反之亦然。這一結構保證運放的同相端和反相端輸入電壓始終保持相等，即保證M1和M2的漏電壓相等。同時M1和M2的共柵連接方式使得兩者的柵電壓相等。由式（1）、（2）可以看出，只要保證M1和M2的柵、漏電壓均相等，驅動電流Iout與I_rset就會滿足一個線性的比例關系，比例系數(shù)依賴于M1和M2的寬長比的比值。而對于一個固定的外設電阻，I_rset是固定不變的，電路可以利用此關系在M2尚處于線性區(qū)時就可以恒流輸出，顯著的降低恒流輸出的工作電壓。這一結構要求電路中的運放的線性區(qū)的工作范圍寬，即保證在M2處于線性區(qū)時，運放一直能夠正常放大，保證M1和M2的漏源電壓相等。當同相端的增加量使得運算放大器已經(jīng)進入到飽和區(qū)時，盡管反饋結構不再起作用，但M2已經(jīng)可以利用飽和區(qū)恒流特性實現(xiàn)恒流輸出，I_reST不變使得飽和區(qū)的恒流值與線性區(qū)一致，兩個工作區(qū)的曲線擬合在一起，形成最終的恒流輸出曲線。
三種結構的恒流工作電壓和驅動電流最大誤差如表1所示。三種結構的I_rset均是同一簡單電流鏡產(chǎn)生的1mA電流，驅動電流與I_rset的比例關系均設置為1：50,外接電壓的工作范圍均為0V~5V.
表1 三種結構恒流工作電壓及驅動電流最大誤差比較
可以看出，圖1中（c）的結構可以實現(xiàn)顯著降低恒流工作電壓的目的。總體電路中的恒流驅動模塊采用該結構。
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LED恒流驅動的總體電路如圖2所示，圖中控制電路部分用于控制是否有恒流輸出。ctr信號是外接PWM數(shù)字信號，可以實現(xiàn)對LED的調光控制。
圖2 恒流驅動電路總圖
整個控制模塊利用施密特觸發(fā)器實現(xiàn)電平的準確翻轉，通過邏輯門作用于MC8、MC9.這兩個MOS管在控制信號發(fā)生翻轉時迅速將電平拉高或拉低，實現(xiàn)了對控制信號控制功能的加速作用，電路的響應速度快。當ctr信號為高時輸出禁止，ctr信號為低時輸出允許，從而實現(xiàn)利用外部的PWM信號實現(xiàn)調光功能。I_rset產(chǎn)生電路要實現(xiàn)通過外設電阻Rset對I_rest大小的控制，并且對與固定的Rset可以恒流輸出。利用帶隙電壓源產(chǎn)生一個基準電壓，利用運放實現(xiàn)基準電壓到基準電流的轉換。將運放的反相端連接到外設電阻Rset就實現(xiàn)了轉換的電流大小受控于Rset.通過后續(xù)電路將電流適當放大，最終給出I_rset.總體電路利用確立好的恒流驅動模塊實現(xiàn)恒流輸出。
3 仿真測試結果
采用圖2電路結構，基于CSMC0.5umBCD工藝庫進行LED恒流驅動電路仿真。電路實現(xiàn)了恒流工作電壓低，驅動電流大小可以由外部電阻調節(jié)，并且外部數(shù)字信號對驅動電流具有使能控制功能，響應速度快的目的。
控制ctr信號變化時驅動電流變化情況如圖3.結果顯示ctr對驅動電流具有輸出使能控制作用，測量得到控制信號ctr響應時間僅為7ns.
圖3 驅動電流隨控制信號變化情況
不同外接電阻下恒流輸出特性曲線如圖4.阻值由200Ω~1300Ω時，驅動電流變化范圍是14.5mA~91.5mA,輸出恒流為91.5mA時，恒流工作電壓僅為0.38V.分析時Vcc由0V到5V變化，驅動電流變化保持在5.5%以內，負載電路的增加使得恒流結構的恒流精度與先前相比有所降低。
圖4 外接電阻變化時，恒流輸出特性曲線
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設置Rset為500Ω、Vcc為3V,令5V電源電壓產(chǎn)生±10%的波動，此時恒流輸出情況如圖5.驅動電流由37.8mA變化到38.5mA,波動百分比為1. 85%。
圖5 驅動電流隨電源電壓變化曲線
設置Rset為500Ω、Vcc為3V,令電路工作的環(huán)境溫度為25℃~85℃時，恒流輸出情況如圖6.驅動電流由37.3mA變化到38.1mA,波動百分比2.14%.
圖6 驅動電流隨溫度變化曲線
4 結束語
文中給出一種LED恒流驅動電路，可用于LED顯示屏。利用電流負反饋結構并擬合工作區(qū)，電路恒流工作電壓低，同時實現(xiàn)外部數(shù)字信號的使能控制，控制信號響應速度快，可用于實現(xiàn)PWM數(shù)字調光。驅動電流大小可以有外接電阻實現(xiàn)控制。仿真顯示，電路5V的電源電壓波動±10%時，驅動電流波動小于1.85%.環(huán)境溫度在25℃~85℃時，驅動電流變化2.14%.驅動電流為91.5mA時，恒流工作電壓僅為0.38V.電路驅動電流可由外接信號實現(xiàn)輸出使能控制，響應時間為7ns.驅動電流大小通過外接電阻設置實現(xiàn)，設置范圍200Ω~1300Ω,對應驅動電流變化范圍是14.5mA~91.5mA.
