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高功率GaN RF放大器的熱考慮因素
氮化鎵 (GaN) 是需要高頻率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的應用的理想選擇。與硅相比，GaN 具有達 3.4 eV 的 3 倍帶隙，達 3.3 MV/cm 的 20 倍臨界電場擊穿，達 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率，這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比，GaN RF 高電子遷移率晶體管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的應用超出了蜂窩基站和國防雷達范疇，在所有 RF 細分市場中獲得應用。
2022-10-13
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ADI電磁流量計模擬前端電路方案實測
電磁流量計是20世紀50~60年代隨著電子技術的發展而興起的新型流量測量儀表，由于其無阻流件等特點，在測量領域得到廣泛應用。持續的技術進步要求不斷提高解決方案的集成度，技術型授權代理商Excelpoint世健的工程師Nathan Xiao借助ADI的放大器、模數轉換器，進行了可實現高分辨率、低噪聲的工業電磁流量計模擬前端電路的實測。
2022-10-10
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鎖相環環路計算中用到的波特圖
波特圖也是根據人名命名的，它是出自貝爾實驗室，由荷蘭裔科學家 Hendrik Wade Bode在1930年發明的。Bode當時需要設計用于電話網絡的放大器，放大器帶有負反饋。為了能夠快速了解放大器保持絕對穩定所需的增益裕度和相位裕度，Bode開發了波特圖。
2022-10-09
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紅外熱成像儀對放大器的芯片結溫的仿真測試
隨著 GaN 功率放大器向小型化、大功率發展，其熱耗不斷增加，散熱問題已成為制約功率器件性能提升的重要因素。金剛石熱導率高達 2000 Ｗ/(m?K)，是一種極具競爭力的新型散熱材料，可用作大功率器件的封裝載片。
2022-10-08
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射頻通信接收機設計的主要結構
在一個射頻通信系統中，噪聲，尤其是信噪比（SNR），是無線接收機中的一個基本問題。高噪聲電平會限制系統的容量、覆蓋范圍，以及許多對系統運營商和終端用戶都有重大影響的相關特性。射頻通信接收機是射頻電路中比較重要的一部分，射它能在頻信號經天線接收后，經過相關濾波器和放大器，將射頻信號進行一系列的頻率變化，最終將信號調節成所需要的調制信號。
2022-10-08
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兩級運算放大器的設計與仿真
運算放大器的設計可以分為兩個較為獨立的步驟，第一步是選擇或搭建運放的基本結構，繪出電路結構草圖，第二步就要選擇直流電流，手工設計管子尺寸，以及設計補償電路等等，然后在手工計算的基礎上，運用模擬電路仿真軟件對設計的兩級運放進行仿真，并對電路進行后續的調試和修改。
2022-09-30
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什么是射頻衰減器？如何為我的應用選擇合適的RF衰減器？
本文延續之前的一系列短文，面向非射頻工程師講解射頻技術；我們將探討IC衰減器，并針對其類型、配置和規格提出一些見解。本文旨在幫助工程師更快了解各種IC產品，并為終端應用選擇合適的產品。該系列的相關文章包括："為應用選擇合適的RF放大器指南"、"如何輕松選擇合適的頻率產生器件"和"RF解密–了解波反射"。
2022-09-28
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運算放大器偏置電阻的計算
由于各級電路的電路形式以及增益不同，故等效的RC時間常數也不同。輸出級為電壓跟隨器形式。其增益最低，但帶寬最寬(即RC低通截止頻率最高)。即RC時間常數最小。
2022-09-28
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運放使用時高頻增益的制約因素
結電容的存在使得基極電流ib被旁路。從而使得真正流過發射結的基極電流ib′減小。而只有真正流過發射結的基極電流才會被放大。頻率越高，結電容的容抗就越小，則結電容的旁路作用就越顯著，晶體管的電流放大倍數β就越低，放大器的增益就越低。
2022-09-28
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運算放大器的偏置電流及消除偏置電流影響
偏置電流在運放輸入端外部電阻后產生電壓會對使用者造成麻煩，產生系統誤差。比如對于一個同相單位增益緩沖電流，如果信號源電阻為 1MΩ，那么當 時，就會產生 10mV 的誤差，對于任何系統這個誤差都不能被忽略。
2022-09-27
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如何將運算放大器用作差分放大器查找電壓值的電壓差
運算放大器最初是為模擬數學計算而開發的，從那時起，它們已被證明在許多設計應用中都很有用。正如我的教授所說的那樣，運算放大器是算術電壓計算器，它們可以使用求和放大器電路執行兩個給定電壓值的加法，并使用差分放大器執行兩個電壓值之間的差。除此之外，運算放大器還通常用作反相放大器和同相放大器。
2022-09-27
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功率放大器模塊及其在5G設計中的作用
許多射頻設計人員都對 Franklin Douglass 的名言深有同感：“沒有斗爭就沒有進步。”在為 5G 進行設計時，尤其如此。科技有望改變無線通信，但也會帶來設計難題。利用功率放大器模塊 (PAM) 來化解。以下是你需要知道的一切。
2022-09-23
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