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X-fest 研討會將于 7 月登陸亞洲
安富利公司旗下安富利電子元件亞洲 (Avnet Electronics Marketing Asia)與賽靈思公司今天宣布啟動亞洲區X-fest 研討會注冊。X-fest 是深受 FPGA、DSP 和嵌入式系統開發人員歡迎的、為期一天的培訓活動。X-fest將在亞洲 16 個城市舉行。
2012-05-24
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英飛凌推出光伏發電逆變器耐壓1200V SiC型FET
德國英飛凌科技（Infineon Technologies AG）開發出了適用于光伏發電用逆變器等的耐壓為1200V的SiC型FET（JFET）“CoolSiC產品群”，新產品的主要用途為光伏發電的逆變器裝置。如果采用SiC型FET代替現有逆變器裝置中使用的IGBT，便可實現裝置的小型輕量化。這是因為新產品可實現高于IGBT的工作速度。也就是說，即便提高工作頻率，也能降低開關損失。因此，電感器及電容器等被動元件可使用小型產品，所以能夠實現整個裝置的小型輕量化。
2012-05-24
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Infineon功率芯片在智能車燈控制系統中的應用
現今MCU和電力電子技術在智能車燈控制系統中發展的趨勢是用智能功率IC替代傳統的繼電器和保險絲，有效實現對車燈的過熱、過壓、短路等故障的保護和診斷；MCU用PWM調制來實現對車燈兩端的電壓進行控制，以達到限制車燈電流，延長使用壽命的目的。本文介紹了Infineon高端開關應用于智能車燈控制系統中的應用經驗，與傳統技術進行了對比，結合實例具體分析了其實現的智能診斷技術在實際產品應用中的技術優勢和發展前景。
2012-05-24
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英飛凌針對汽車開發的AURIX單片機含有3顆32位TriCore內核
英飛凌近日宣布推出滿足汽車行業的動力總成和安全應用的各種要求的全新32位多核單片機系列。全新的AURIX系列的多核架構包含多達三顆獨立32位TriCore 處理內核，可滿足業界的最高安全標準。此外，采用90納米工藝制造的TC1798，相比于現有的一流器件，其性能提升一倍。
2012-05-22
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羅姆開發出業內最小的車載絕緣元件內置型半導體
隨著電動汽車、混合動力車的普及，為了提高性能，亟需使作為動力部分的逆變器電路進一步實現小型化，由于車載逆變器每臺配備6個柵 極驅動IC，因此要實現逆變器電路的小型化，需要先縮小柵極驅動IC的體積。為了防止觸電，此前必須使用外置絕緣元件。 日本羅姆公司日前開發出了業內最小的車載絕緣元件內置型半導體裝置柵極驅動IC可滿足這一需求。
2012-05-22
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業界最小！羅姆開發出車載用內置絕緣元件的柵極驅動器
羅姆株式會社開發出內置絕緣元件的柵極驅動器“BM6103FV-C”，最適合作為電動汽車（EV）和混合動力車（HEV）逆變回路中IGBT以及功率MOSFET的驅動元件。本產品融合了羅姆獨創的BiCDMOS技術與新開發的片上變壓器工藝技術，作為內置了絕緣元件的柵極驅動器，是業界最小(截至2012年5月22日,根據羅姆的調查)的小型封裝，有助于逆變器電路的小型化。另外，與傳統的光耦方式相比，可大幅降低耗電量，而且由于具備了所有必要的保護功能和品質要求，可減少設計時的工作量。
2012-05-22
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ADN469xE：ADI多點LVDS收發器提供最高ESD保護
Analog Devices, Inc. (NASDAQ：ADI)，全球領先的高性能信號處理解決方案供應商，最近推出一系列多點、低電壓、差分信號(M-LVDS)收發器ADN469xE，具有所有多點LVDS收發器中最高的ESD（靜電放電）保護。 ADN469xE M-LVDS系列包含八款收發器，每款器件都能夠利用一條差分電纜對連接32個數據/時鐘節點并以100 Mbps或200 Mbps的數據速率工作。與之相比，傳統的LVDS通信鏈路必須使用32個單獨的點對點節點，這會顯著增加功耗、連接器尺寸、線纜成本和總電路板空間。ADI公司的ADN469xE M-LVDS系列可提供8 kV IEC ESD保護，是M-LVDS收發器競爭產品的11倍。這種更高層次的保護能夠提高可插拔板和卡的可靠性，適合無線基站和網絡基礎設施、數據采集、自動測試設備以及其他高速、高度網絡化背板和電纜應用。
2012-05-21
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飛兆半導體P溝道WL-CSP MOSFET實現出色的散熱特性
便攜設備的設計人員面臨著在終端應用中節省空間、提高效率和應對散熱問題的挑戰。為了順應這一趨勢，飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發了FDZ661PZ和FDZ663P P溝道、1.5V規格的PowerTrench?薄型0.8mm x 0.8mm WL-CSP MOSFET器件。
2012-05-21
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Microsemi新款1200V非穿通型IGBT開關和導通損耗降低20%
美高森美 (Microsemi) 推出新一代1200V非穿通型IGBT系列中的首款產品。新的IGBT系列采用尖端Power MOS 8技術，與競爭解決方案相比，總體開關和導通損耗顯著降低20%或更多。這些IGBT器件瞄準電焊機、太陽能逆變器和不間斷與開關電源等應用。
2012-05-21
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Mouser為Murata全新氣泵微型鼓風機備貨
2012年5月18日 - 半導體與電子元器件業頂尖設計工程資源與全球分銷商Mouser Electronics, 宣布備貨Murata的微型鼓風機。 Murata微型鼓風機非常適合因尺寸太小而無法安裝傳統冷卻裝置（例如散熱片、熱導管或電動風扇）的小型產品進行散熱管理。 微型鼓風機還可用作高壓空氣發生器，滿足液體置換或配液應用的需求。
2012-05-18
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IDT新型4M系列振蕩器可替代傳統六管腳晶體振蕩器
擁有模擬和數字領域的優勢技術、提供領先的混合信號半導體解決方案的供應商IDT公司 (Integrated Device Technology, Inc.) 宣布，已推出全球首款針對高性能通信、消費、云和工業應用的CrystalFree壓電MEMS（pMEMS）LVDS/LVPECL振蕩器。IDT的新型振蕩器可在緊湊業界標準封裝中以遠低于1皮秒的相位抖動運行，使其成為傳統六管腳晶體振蕩器（XO）的理想替代。
2012-05-18
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安森美雙向過壓過流保護器件NCP370應用指南
NCP370是安森美半導體(0N Semiconductor)公司生產的具有過壓、過流保護及反向控制功能的集成雙向保護器件。該器件可以提供高達+28V的正向保護和低至-28 V的負向保護功能，從而提高對便攜設備前端的保護。NCP370采用了創新架構，可在器件內部為連接在底部連接器并以鋰離子電池供電的外部附件提供OCP保護，而無需使用外部OCP器件。另外，NCP370還集成有低導通阻抗(Ron)的N溝道MOSFET，可有效支持便攜設備中的鋰離子電池所要求的1．3 A的直接充電電流，并可進一步降低系統成本。
2012-05-18
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