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Vishay推出6款用于消費電子的FRED Pt超快恢復整流器
日前，Vishay推出6款用于消費電子應用的FRED Pt超快恢復整流器。新的600V、8A器件在額定電流下具有1V的超低典型壓降，在硬開關條件下的快速恢復時間只有16ns，在125℃下的典型泄漏電流低至30μA。
2010-05-31
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Vishay推出新款4線雙向對稱ESD保護陣列
Vishay推出新款4線VCUT05A4-05S-G-08雙向對稱(BiSy)ESD保護陣列，可保護PC和便攜式消費電子產品中的USB 2.0等數據端口應用。
2010-05-26
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10011系列：Vishay通過新DSCC Drawing 10011認證的超高容值液鉭電容器
Vishay宣布，推出通過新DSCC Drawing 10011認證的超高容值液鉭電容器 --- 10011系列電容器，針對高可靠性應用提供玻璃至金屬密封，具有72,000μF的高容值和低至0.035?的ESR。
2010-05-24
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Vishay幫助客戶進一步了解Vishay Dale電阻技術的先進性
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，為幫助客戶了解如何將Vishay Dale電阻技術用于定制產品，滿足特定用戶的需求，Vishay在其網站(http://www.vishay.com)新增加了一個介紹Power Metal Strip?分流電阻的流媒體視頻。
2010-05-10
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Si7625DN：Vishay推出30V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay推出首款采用PowerPAK? 1212-8封裝的30V P溝道第三代TrenchFET?功率MOSFET --- Si7625DN，用于筆記本電腦、上網本和工業/通用系統中的適配器、負載和電池開關，該器件的導通電阻是最低的還可以減小電壓降。
2010-05-07
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CWR06/16：Vishay新款TANTAMOUNT固態鉭電容可滿足宇航級應用
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其CWR06和CWR16 TANTAMOUNT?固態鉭電容器現可滿足MIL-PRF-55365為宇航級應用制定的“T”-level要求。
2010-05-04
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Si8499DB：Vishay推出P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片級MICRO FOOT?封裝的P溝道第三代TrenchFET?功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占位面積內，這款20V器件提供業內P溝道MOSFET最低的導通電阻。
2010-04-29
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IHLP-1212BZ-11：Vishay推出其最小的IHLP器件
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用1212外形尺寸的新款IHLP?小尺寸、高電流電感器 --- IHLP-1212BZ-11。IHLP-1212BZ-11是迄今為止Vishay最小的IHLP器件，具有3.0mm x 3.6mm的占位、2.0mm的超小尺寸以及0.22μH至1.5μH的標準感值，其最高頻率可達1.0MHz。
2010-04-26
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適用在極端惡劣環境下的新款薄膜貼片電阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出為鉆井和航空等極端高溫環境優化的新系列打線式、裸芯片貼片式電阻 --- Vishay Sfernice RMKHT和電阻網絡。
2010-04-19
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SiA975DJ：Vishay 推出新款雙路12V P溝道功率MOSFET
Vishay 近日宣布推出新款雙路12V P溝道TrenchFET功率MOSFET——SiA975DJ。新器件具有迄今為止雙路P溝道器件中最低的導通電阻，采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK SC-70封裝。
2010-04-15
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Vishay為MC AT薄膜電阻增加了新的外形尺寸和精度版本
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用0402、0603、0805和1206外形尺寸的電阻器件，擴充了MC AT系列專用薄膜貼片式電阻。此外，該系列中具有更低TCR和容差的新款精密版本也已經發布了。
2010-04-14
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SiA975DJ：雙路12V P溝道TrenchFET功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款雙路12V P溝道TrenchFET功率MOSFET --- SiA975DJ。新器件具有迄今為止雙路P溝道器件中最低的導通電阻，采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK SC-70封裝。
2010-04-13
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