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Silicon Labs CTO：Matter標(biāo)準(zhǔn)將加速推進(jìn)智能家居和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用
經(jīng)歷了2021的全球缺芯潮，我們迎來了2022 年，今年，世衛(wèi)組織認(rèn)為新冠疫情會(huì)得到控制，隨著疫情影響減弱，以及AIOT、智慧家居市場(chǎng)、老年健康市場(chǎng)走熱，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)會(huì)有哪些新的變化？電子創(chuàng)新網(wǎng)采訪數(shù)十位半導(dǎo)體高管，并以"行業(yè)領(lǐng)袖看2022”系列問答形式向業(yè)界傳達(dá)知名半導(dǎo)體眼中的2022 ，這是該系列第五篇報(bào)道---來自Silicon Labs首席技術(shù)官Daniel Cooley的答復(fù)。
2022-02-18
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Digi-Key 宣布與 SPARK Microsystems 達(dá)成全球分銷協(xié)議
全球供應(yīng)品類極豐富、發(fā)貨超快速的現(xiàn)貨電子元器件分銷商Digi-Key Electronics，日前宣布與SPARK Microsystems達(dá)成全球分銷協(xié)議，為高性能個(gè)人局域網(wǎng)和物聯(lián)網(wǎng)連接設(shè)備提供超低功耗無線通信器件。
2022-02-17
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集成驅(qū)動(dòng)器！原來，GaN電源系統(tǒng)性能升級(jí)的奧秘在這里~
如今，以GaN和SiC為代表的第三代半導(dǎo)體技術(shù)風(fēng)頭正勁。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料相比，GaN和SiC禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、電子遷移率高、熱導(dǎo)電率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)……因此可實(shí)現(xiàn)更高的功率密度、更高的電壓驅(qū)動(dòng)能力、更快的開關(guān)頻率、更高的效率、更佳的熱性能、更小的尺寸，在高溫、高頻、高功率、高輻射等功率電子應(yīng)用領(lǐng)域，不斷在向傳統(tǒng)的硅基IGBT和MOSFET器件發(fā)起強(qiáng)勁的沖擊。
2022-02-17
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SiC MOSFET模塊的硬并聯(lián)
以對(duì)稱的布板設(shè)計(jì)來實(shí)現(xiàn)4個(gè)6毫歐的碳化硅模塊的并聯(lián)，給出了實(shí)際的測(cè)量結(jié)果。最后還通過門特卡羅分析來演繹批量器件應(yīng)用在并聯(lián)場(chǎng)合下的溫度偏差。由此可以看出碳化硅MOSFET并聯(lián)使用的可行性。
2022-02-17
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貿(mào)澤與Qorvo攜手推出全新電子書探索電子設(shè)計(jì)中的電源效率
專注于引入新品的全球半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Qorvo?攜手推出全新電子書《Powering Up Your Design》（讓電源管理為設(shè)計(jì)注入活力），重點(diǎn)介紹新一代技術(shù)和器件如何受益于高效電源管理。本書中，來自Qorvo和貿(mào)澤的行業(yè)專家對(duì)電源管理中至關(guān)重要的元件、架構(gòu)和應(yīng)用進(jìn)行了深入分析。
2022-02-17
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充分挖掘SiC FET的性能
功率轉(zhuǎn)換器的性能通常歸結(jié)到效率和成本上。實(shí)際示例證明，在模擬工具的支持下，SiC FET技術(shù)能兼顧這兩點(diǎn)。
2022-02-16
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安森美的NCP1680 PFC控制器獲2021 PowerBest獎(jiǎng)
領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi）很高興地宣布，其領(lǐng)先市場(chǎng)的NCP1680臨界導(dǎo)通模式(CrM)無橋圖騰柱功率因數(shù)校正(PFC)控制器獲《Electronic Design》授予PowerBest獎(jiǎng)。
2022-02-15
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專為MPS IC優(yōu)化的表面貼裝電感
MPS新型表面貼裝功率電感適用于各種電源和功率變換器應(yīng)用。其一體成型電感和半屏蔽式系列電感的電感范圍為0.33μH至22μH，飽和電流范圍為0.8 A至64 A。
2022-02-15
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ROHM確立了可更大程度追求電源IC響應(yīng)性能的創(chuàng)新電源技術(shù)“QuiCurTM”
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）確立了一種新電源技術(shù)“QuiCurTM”，可改善包括DC/DC轉(zhuǎn)換器IC在內(nèi)的各種電源IC的負(fù)載響應(yīng)特性*1（以下稱為“響應(yīng)性能”，指后級(jí)電路工作時(shí)的響應(yīng)速度和電壓穩(wěn)定性）。
2022-02-14
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SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作
MOSFET和IGBT等電源開關(guān)元器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。另外，所使用的電路方式也多種多樣，除單獨(dú)使用外，還有串聯(lián)連接、并聯(lián)連接等多種使用方法。
2022-02-11
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理想開關(guān)自身會(huì)帶來挑戰(zhàn)
隨著我們的產(chǎn)品接近邊沿速率超快的理想半導(dǎo)體開關(guān)，電壓過沖和振鈴開始成為問題。適用于SiC FET的簡(jiǎn)單RC緩沖電路可以解決這些問題，并帶來更高的效率增益。
2022-02-10
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派恩杰SiC驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)新探索：如何避免誤開通？
隨著SiC 工藝逐漸成熟和成本不斷下降，SiC MOSFET憑借整體性能優(yōu)于硅基器件一個(gè)數(shù)量級(jí)的優(yōu)勢(shì)正逐漸普及，獲得越來越多的工程應(yīng)用。相較于傳統(tǒng)的Si功率器件，SiC MOSFET具有更小的導(dǎo)通電阻，更快的開關(guān)速度，使得系統(tǒng)損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實(shí)現(xiàn)變換器的高效高功率密度化，因此廣泛適用于5G數(shù)據(jù)中心通信電源，新能源汽車車載充電機(jī)，電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，工業(yè)電源，直流充電樁，光伏，UPS等各類能源變換系統(tǒng)中。
2022-02-10
- Supermicro DCBBS：重新定義數(shù)據(jù)中心，一站式實(shí)現(xiàn)速度、性能與能效的飛躍
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