在功率電子（例如驅動技術）中，IGBT經常用作高電壓和高電流開關。這些功率晶體管由電壓控制，其主要損耗產生于開關期間。在功率電子（例如驅動技術）中，IGBT經常用作高電壓和高電流開關。這些功率晶體管由電壓控制，其主要損耗產生于開關期間。為了最大程度減小開關損耗，要求具備較短的開關時間。
然而，快速開關同時隱含著高壓瞬變的危險，這可能會影響甚至損壞處理器邏輯。因此，為IGBT提供合適柵極信號的柵極驅動器，還執行提供短路保護并影響開關速度的功能。然而，在選擇柵極驅動器時，某些特性至關重要。詳細閱讀>>
干貨
柵極驅動器是一種電路，它將控制器輸出的信號轉換成高電壓、高電流的脈沖來控制 MOSFET 或 IGBT 的柵極。在 MOSFET 或 IGBT 中，柵極負責控制主開關的導通和截止，因此柵極驅動器對于半導體開關電路至關重要。通過使用柵極驅動器，可以優化 MOSFET 或 IGBT 的性能、可靠性和壽命。
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IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極和發射極。詳細閱讀>>
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帶同步整流功能的隔離式DC-DC轉換器的傳統設計方法是使用光耦合器或脈沖變壓器進行隔離，并將其與一個柵極驅動器IC結合在一起。本文將說明光耦合器和脈沖變壓器的局限性，并提出一種集成度更高的方法，其性能更高，解決方案尺寸和成本則低得多。詳細閱讀>>
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高功率電平帶來更高的系統電壓，轉換器內所用各種組件的切斷電壓也更高。單通道UCC27531作為一種小型、非隔離式柵極驅動器，它的高電源/輸出驅動電壓范圍為10到35V，讓其成為12V Si MOSFET應用和IGBT/SiC FET應用的理想選擇。詳細閱讀>>
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隔離式半橋柵極驅動器可用于許多應用，從要求高功率密度和效率的隔離式DC-DC電源模塊，到高隔離電壓和長期可靠性至關重要的太陽能逆變器等等，不一而足。本文將詳細闡述這些設計理念，探索隔離式半橋柵極驅動器解決方案在提供高性能和小尺寸解決方案方面的卓越能力。詳細閱讀>>
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在照明、功率轉換和電機控制等負載應用中電壓不穩很常見，這主要是低側柵極驅動器的MOSFET在作祟。柵極驅動器能設計為可提供能高效驅動所需的高峰值電流，那么如何降低不穩定因素呢？首先要了解驅動它們所需的功率MOSFET管的基本特征和驅動所需信號。下文將針對MOSFET在低側柵極驅動器如何設計做一些經驗分享。詳細閱讀>>
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高速柵極驅動器可以通過降低FET的體二極管功耗來提高效率。體二極管是寄生二極管，大多數類型的FET固有。它由p-n結點形成并且位于漏極和源極之間。本文主要來討論過高速柵極驅動器如何幫助系統實現更高的效率。詳細閱讀>>
經典案例
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AMT49100和AMT49101是Allegro針對48V電池系統而開發的N溝道功率MOSFET驅動器，能夠控制以三相橋式布局設置的MOSFET，可用于具有高功率電感性負載的48V汽車功率應用。詳細閱讀>>
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-1A/2A，160V MOTIX?三相柵極驅動器，帶有集成的電源管理單元（PMU）、電流感應放大器（CSA）和過流保護（ITRIP）。詳細閱讀>>
總之，柵極驅動器是一種非常重要的半導體器件，可以顯著提高 MOSFET 和 IGBT 的性能和可靠性。通過使用柵極驅動器，可以確保控制器能夠更好地控制這兩種器件的操作，并擴展它們的使用壽命。同時，柵極驅動器也為工程師提供了一個簡單、安全、可靠的方法來控制 MOSFET 和 IGBT，從而降低了系統的成本和復雜性。
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