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SiR494DP：Vishay新款第三代12V功率MOSFET
日前，Vishay 宣布推出具有業內最低導通電阻的新款N溝道MOSFET器件 --- SiR494DP，將該系列的第三代TrenchFET功率MOSFET的電壓降至12V，同時該器件的導通電阻與柵電荷的乘積也是這種額定電壓的器件當中最低的。
2009-07-31
SiR494DP Vishay MOSFET 分立器件
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SiR494DP：Vishay新款第三代12V功率MOSFET
日前，Vishay 宣布推出具有業內最低導通電阻的新款N溝道MOSFET器件 --- SiR494DP，將該系列的第三代TrenchFET功率MOSFET的電壓降至12V，同時該器件的導通電阻與柵電荷的乘積也是這種額定電壓的器件當中最低的。
2009-07-31
SiR494DP Vishay MOSFET 分立器件
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德豪潤達擬拓展LED顯示屏領域
7月27日，德豪潤達(002005)召開的第三屆董事會第十四次會議審議通過了《關于對控股子公司提供財務資助的議案》，公司擬為持股51%的控股子公司廣東健隆光電科技有限公司提供2,100萬人民幣的財務資助
2009-07-31
LED 顯示屏
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德豪潤達擬拓展LED顯示屏領域
7月27日，德豪潤達(002005)召開的第三屆董事會第十四次會議審議通過了《關于對控股子公司提供財務資助的議案》，公司擬為持股51%的控股子公司廣東健隆光電科技有限公司提供2,100萬人民幣的財務資助
2009-07-31
LED 顯示屏
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德豪潤達擬拓展LED顯示屏領域
7月27日，德豪潤達(002005)召開的第三屆董事會第十四次會議審議通過了《關于對控股子公司提供財務資助的議案》，公司擬為持股51%的控股子公司廣東健隆光電科技有限公司提供2,100萬人民幣的財務資助
2009-07-31
LED 顯示屏
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NEC電子與瑞薩科技推遲簽署合并協議
北京時間7月28日晚間消息，據國外媒體周二報道，NEC電子與瑞薩科技宣布，將雙方簽署合并協議的時間推遲至8月底，稱需要更多時間評估資產。
2009-07-31
NEC電子 電子
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NEC電子與瑞薩科技推遲簽署合并協議
北京時間7月28日晚間消息，據國外媒體周二報道，NEC電子與瑞薩科技宣布，將雙方簽署合并協議的時間推遲至8月底，稱需要更多時間評估資產。
2009-07-31
NEC電子 電子
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NEC電子與瑞薩科技推遲簽署合并協議
北京時間7月28日晚間消息，據國外媒體周二報道，NEC電子與瑞薩科技宣布，將雙方簽署合并協議的時間推遲至8月底，稱需要更多時間評估資產。
2009-07-31
NEC電子 電子
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PI為亞洲電源設計師推出內容全面的本地語言網站
美國加利福尼亞州圣何塞，2009年7月28日訊 – 用于高能效電源轉換的高壓集成電路業界的領導者Power Integrations公司（納斯達克股票代號：POWI）今天宣布推出四種亞洲語言的全新網站。
2009-07-30
Power Integrations
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